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电子元器件详细资料 » IC[27386] » SI2333DS-T1-E3
型号:SI2333DS-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1100pF @ 6V
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828
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SI2333DS-T1-E3相关型号

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